onsemi 3LP01S-TL-E
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2017-04-18
LTD Date2017-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
onsemi3LP01M-TL-E
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel Single Mosfet Transistor 100mA Ta 100mA 150mW 130ns
Diodes Inc.DMN33D8LT-7
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 / N-Channel 30 V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Diodes Inc.DMN33D8LT-13
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 / N-Channel 30 V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Descripciones
Descripciones de onsemi 3LP01S-TL-E suministradas por sus distribuidores.
Small Signal MOSFET -30V -0.1A 10.4 Ohm Single P-Channel SMCP
3LP01S-TL-E P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SMCP
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SMCP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3LP01S - P-CHANNEL SILICON MOSFET;
P 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) SMCP
MOSFET, P CH 30V 0.1A SOT89; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Typ Voltage Vds:30V; Current, Id Cont:0.1A; On State Resistance:10.4ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Typ Voltage Vgs th:1.4V; Case Style:SMCP; ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance10.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance7.5 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 mW
Rds On Max10.4 Ω
Rise Time55 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height750 µm
Length1.6 mm
Width800 µm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento