onsemi 2SK4066-1E
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIPI90N06S4L04AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 / N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
STMicroelectronicsSTFI260N6F6
N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
InfineonIPI029N06NAKSA1
N-Channel 60 V 100 A 3 W Through Hole OptiMOSTM Power Transistor - PG-TO262-3
Descripciones
Descripciones de onsemi 2SK4066-1E suministradas por sus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 100A Ta 100A 1.65W 750ns
N-Channel Power MOSFET, 60V, 100A, 4.7mΩ, TO-262-3L/TO-263-2L
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin TO-262 Magazine
Compliant Through Hole 750 ns Lead Free 630 ns 4.7 mΩ TO-262-3 3
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time750 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time630 ns
Turn-Off Delay Time860 ns
Turn-On Delay Time80 ns
Dimensions
Height14 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento