onsemi 2SC5707-TL-E
$ 0.546
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | 2SC5707-TL-E | 1468 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 2SC5707-TL-EOSCT-ND | 4408 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | 2SC5707-TL-E | 0 | 50 | Bulk | ||||||||
| Master Electronics | 2SC5707-TL-E | 0 | 50 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | 2SC5707-TL-E | 0 | 5 | Bulk | 10h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiNJD2873T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi 2SC5707-TL-E suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistor, 50V, 8A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
TRANSISTOR, NPN, 50V, 8A, TO-251; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:330MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:560; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; Gain Bandwidth ft Typ:330MHz
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage240 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency330 MHz
Gain Bandwidth Product330 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency330 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento