onsemi 2SC3646S-TD-E
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar Transistor, 100V, 1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE = 200 - 400
onsemi2SC4134S-E
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 140 @ 100mA 5V 1A 800mW 120MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi 2SC3646S-TD-E suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistor, 100V, 1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE = 140 - 280
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 100mA 5V 100nA ICBO 500mW 120MHz
ON SEMI 2SC3646S-TD-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 100 V, 3-PIN PCP
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
TRANSISTOR, NPN, 100V, 1A, SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Typ Gain Bandwidth ft:120MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:280; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +44.42%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min140
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency120 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento