onsemi 2N7002KW
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2011-05-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN601WK-7
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R / MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
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InfineonBSS138WH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 280 mA, 3.5 Ohm, SOT-323, 3 Pins, Surface Mount
InfineonSN7002WH6327XTSA1
Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-323
Descripciones
Descripciones de onsemi 2N7002KW suministradas por sus distribuidores.
N-Channel MOSFET, Enhancement Mode, 60V, 310mA, 1.6Ω
onsemi NChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23encapsulation, surface mount, 3Pin
Single N-Channel 60 V 2.4 Ohm 300 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-323
Transistor MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 T/R
Avnet Japan
MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT-323-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:310mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)310 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 mW
Rds On Max1.6 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento