onsemi 2N5550TF
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Obsolete
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Componentes relacionados
onsemi2N5550RLRP
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descripciones
Descripciones de onsemi 2N5550TF suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Small Signal NPN Bipolar Transistor
Tape & Reel (TR) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 60 @ 10mA 5V 100nA ICBO 625mW 300MHz
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight178.2 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min20
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)140 V
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento