onsemi 2N3702
$ 0.077
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi 2N3702.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1979-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2010-03-15
LTD Date2010-09-15
Componentes relacionados
onsemiKSB564AOBU
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Descripciones
Descripciones de onsemi 2N3702 suministradas por sus distribuidores.
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 60 @ 50mA 5V 100nA ICBO 625mW 100MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
PNP General Purpose Amplifier | TRANS PNP 25V 0.5A TO-92
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-25 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min60
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation620 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-25 V
Dimensions
Height4.78 mm
Fichas técnicas y documentos
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