Omron EE-SX1108
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Cadena de suministros
Introduction Date1999-01-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-02-28
LTD Date2018-06-30
Componentes relacionados
ams-OSRAMSFH 3400-2/3-Z
Ambient Light Sensor Phototransistor Chip Silicon 850nm 3-Pin DIL SMT T/R
OsramSFH 3400-Z
Ambient Light Sensor PhototransistorChip Silicon 850nm Automotive AEC-Q102 3-Pin DIL SMT T/R
VishayTEMD5110X01
IR-photodiode Photoelectric current: 45...65 uA Wavelength of max. photosensitivity: 940 nm
Descripciones
Descripciones de Omron EE-SX1108 suministradas por sus distribuidores.
Transmissive Photo Interrupter, Phototransistor, 25 Ma, 1.1 V, 5 V, 0.3 Mm, 2 Mm
Photo Micro Sensor 1.1 V Typ/1.3 V Max at 5mA 3 mm Sensing Aperture Distance
Fork coupler Dimensions L x W x H: 5 x 4 x 4 mm Gap width: 2 mm Operating temperature: -30...+85 °C Break-time: 10 µs Make-time: 10 µs Output collector-emitter voltage: 20 V
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter No. of Channels:1; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current:25mA; Output Voltage:20V; Opto Case Style:Slotted; No. of Pins:4; Input Current Max:5mA
PHOTO INTERRUPTER, TRANSMISSIVE, 2MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: SMD; Gap Width: 2mm; Aperture Width: 0.3mm; Forward Current If: 25mA; Reverse Voltage Vr: 5V; Forward Voltage: 1.1V; Product Range: EE-SX1108
Alias de fabricantes
Omron tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Omron también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -8.89%
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountPCB, Surface Mount
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Dark Current100 nA
Fall Time10 µs
Forward Current25 mA
Forward Voltage1.3 V
Input Current5 mA
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Output Current20 mA
Max Output Voltage20 V
Min Operating Temperature-30 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage20 V
PackagingCut Tape
Power Dissipation75 mW
Response Time10 µs
Reverse Breakdown Voltage5 V
Reverse Voltage (DC)5 V
Rise Time10 µs
Sensing Distance2.0066 mm
TerminationSolder
Turn-Off Delay Time10 µs
Turn-On Delay Time10 µs
Wavelength900 nm
Dimensions
Height4 mm
Length5 mm
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