Omron EE-SX1041
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Modelos CAD
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Descripciones
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5mm DIP-4 Photointerrupters - Slot Type - Transistor Output ROHS
Fork coupler Dimensions L x W x H: 14 x 6 x 10 mm Gap width: 5 mm Operating temperature: -25...95 °C Break-time: 4 us Make-time: 4 us Output collector-emitter voltage: 30 V
OPTO SWITCH, TRANSMISSIVE; Depth, external:10mm; Length / Height, external:14mm; Width, external:6mm; Current, input:50mA; Distance, sensing max:5mm; Output:Aperture: 0.5mm; Sensor type:Slotted; Wavelength, peak:940nm
PHOTOMICROSENSOR, 5MM, TH, 30V; Sensing Method:-; Sensing Distance / Slot Width:5mm; Supply Voltage Min:-; Supply Voltage Max:-; Sensor Case / Package:-; Collector Emitter Voltage Max:30V; Collector Current IC Max:20mA; IP Rating:- RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Omron tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Omron también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -15.13%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
MountPCB, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Ambient Temperature Range High95 °C
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current30 mA
Max Collector Current20 mA
Max Input Current30 mA
Max Operating Temperature95 °C
Max Output Current20 mA
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Current20 mA
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Rise Time4 µs
Schedule B8541408000
Sensing Distance5 mm
TerminationSolder
Wavelength940 nm
Dimensions
Height11 mm
Length6 mm
Width500 µm
Fichas técnicas y documentos
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