NXP Semiconductors BFU760F,115
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EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BFU760F,115 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| RFMW | BFU760F,115 | 0 | 3K | 12h | ||||||||
| Avnet | BFU760F,115 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| Future Electronics | BFU760F,115 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | BFU760F,115 | 0 | 3K |
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00
Introduction Date2011-04-29
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-06-30
LTD Date2027-12-30
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Descripciones
Descripciones de NXP Semiconductors BFU760F,115 suministradas por sus distribuidores.
2.8V 220mW 25mA 330@10mA2V 45GHz NPN +150¡Í@(Tj) SOT-343F Bipolar Transistors - BJT ROHS
BFU760 Series 2.8 V 25.5 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor-SOT-343F-4
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
NPN-RF 2,8V 70mA 220mW 45GHz SOT343F
NPN Wideband Silicon Germanium RF Transistor, DFP4, RoHS
NXP Semiconductors SCT
RF TRANSISTOR, NPN, 2.8V, 45GHZ, SOT343F; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 2.8V; Transition Frequency ft: 45GHz; Power Dissipation Pd: 220mW; DC Collector Current: 70mA; DC Current Gain hFE: 155hFE
Rf Trans, Npn, 2.8V, 0.025A, Sot343F; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:2.8V; Transition Frequency:45Ghz; Power Dissipation:220Mw; Continuous Collector Current:25Ma; No. Of Pins:4Pins; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes |NXP Semiconductors BFU760F,115
Alias de fabricantes
NXP Semiconductors tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. NXP Semiconductors también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-343
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage2.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)2.8 V
Continuous Collector Current70 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)1 V
Frequency45 GHz
Gain25.5 dB
hFE Min155
Max Breakdown Voltage2.8 V
Max Collector Current70 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation220 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power220 mW
PackagingDigi-Reel®
PolarityNPN
Power Dissipation220 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency45 GHz
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento