NXP Semiconductors BAV70
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.70
Introduction Date1974-04-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2004-06-30
Descripciones
Descripciones de NXP Semiconductors BAV70 suministradas por sus distribuidores.
HIGH-SPEED SWITCHING DIODE Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236AB
70V 225mW Dual Common Cathode 1.25V@150mA 6ns 200mA SOT-23(TO-236) Switching Diode ROHS
0.125A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN
Diode; Diode Type:Small Signal; Forward Current, If(AV):125mA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:100V; Forward Voltage Max, VF:1.25V; Reverse Recovery Time, trr:4ns; Forward Surge Current Max, Ifsm:4A ;RoHS Compliant: Yes
DIODE, DUAL, SOT-23; Diode Type:Small Signal; Forward Current If(AV):125mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:85V; Forward Voltage VF Max:1.25V; Reverse Recovery Time trr Max:4ns; Forward Surge Current Ifsm Max:4A; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Application Code:High Speed; Current If @ Vf:150mA; Current Ifsm:4A; Current Ir Max:30nA; Diode Configuration:Dual; Forward Current If Max:125mA; Forward Voltage:1.25V; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:SOT-23; Peak Forward Current:450mA; Pin Configuration:1A1,2A2,3ComK; Power Dissipation Ptot Max:250mW; Reverse Recovery Time trr Typ:4ns; Reverse Voltage Vr Max:75V; SMD Marking:A4*; Termination Type:SMD
Configuration = Dual Parallel / Reverse Repetitive Voltage Max. (Vrrm) V = 100 / Peak Average Forward Current (If(AV)) mA = 215 / Forward Voltage (Vf) V = 1.25 / Peak Non-Repetitive Surge Current (Itsm) mA = 125 / Peak Reverse Current uA = 100 / Reverse Recovery Time (trr) ns = 4 / Power Dissipation (Pd) mW = 250 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Capacitance pF = 1.5 / Thermal Resistance K/W = 500
Alias de fabricantes
NXP Semiconductors tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. NXP Semiconductors también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Average Rectified Current200 mA
Capacitance1.5 pF
Current2 A
Current Rating200 mA
Element ConfigurationCommon Cathode
Forward Current215 mA
Forward Voltage715 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current125 mA
Max Power Dissipation250 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)100 V
Max Reverse Leakage Current100 nA
Max Reverse Voltage (DC)75 V
Max Surge Current500 mA
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
Peak Reverse Current100 µA
Recovery Time2 ns
Reverse Recovery Time4 ns
Reverse Standoff Voltage70 V
TerminationSMD/SMT
Voltage70 V
Voltage Rating (DC)70 V
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento