Nexperia PUMB9,115
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Production
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Tendencia de 3 meses: -5.96%
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Descripciones
Descripciones de Nexperia PUMB9,115 suministradas por sus distribuidores.
50 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
PUMB9 Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Small Signal Transistor - SOT-363
2 PNP - Pre-Biased (Dual) 1μA 50V 100mA TSSOP-6 SMD mount
Bipolar Transistor Array; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:-50V; Power Dissipation, Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain Max (hfe):100 ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -5.96%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTSSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationDual
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency180 MHz
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento