Nexperia PSMN4R2-30MLDX
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Diodes Inc.DMP3098L-7
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Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N-CH 30V 6TSOP
Descripciones
Descripciones de Nexperia PSMN4R2-30MLDX suministradas por sus distribuidores.
N-channel 30 V, 4.2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 / Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
65W(Tc) 20V 2.2V@1mA 29.3nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 4.3mΩ@ 25A,10V 70A 1.795nF@15V LFPAK-33 SMD mount 2.6mm(width)*900μm(height)
MOSFET, N CH, 30V, 70A, SOT-1210-5; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 70A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipation Pd: 65W; Transistor Case Style: SOT-1210; No. of Pins: 5Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Operating Temperature Min: -55°C
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins8
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time8.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)2.2 V
Input Capacitance1.795 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max4.3 mΩ
Rise Time18.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time10.1 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento