Nexperia PEMH13,115

50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ
$ 0.142
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsPEMH13,115283
12h
DigiKey
3
1727-1725-1-ND44401Cut Tape
TME
2
PEMH13.11501
11h
NewarkPEMH13,11505Cut Tape
AvnetPEMH13,115012K
14h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Nexperia PEMH13,115.

IHS

Datasheet15 páginasHace 3 años
Datasheet0 páginasHace 0 años

LKR

Nexperia

Future Electronics

Newark

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-50.16%
Powered bySpectra logo

Cadena de suministros

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 3 years ago)

Componentes relacionados

NXP SemiconductorsPBLS1503V,115
Transistor BJT Array NPN/PNP 50V/15V 100mA/500mA 6-Pin SOT-666 T/R
Detalles
NXP SemiconductorsPBLS1504V,115
Transistor BJT Array NPN/PNP 50V/15V 100mA/500mA 6-Pin SOT-666 T/R
Detalles
NXP SemiconductorsPBSS4140V,115
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Detalles

Descripciones

Descripciones de Nexperia PEMH13,115 suministradas por sus distribuidores.

50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ
Nexperia
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Semicontronic
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
UnikeyIC
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Component Stockers USA
Small Signal Digital (BRT) Transistor; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1/R2:10 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANS NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-666; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:100mV; Current Ic Continuous a Max:5mA; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-666; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
element14 APAC

Imágenes

Nexperia
element14
TME
RS
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • "PEMH13,115"
  • PEMH13115