Nexperia NX3008PBKW,115
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Descripciones
Descripciones de Nexperia NX3008PBKW,115 suministradas por sus distribuidores.
P-Channel 30 V 4.1 Ohm 0.52 nC Surface Mount TrenchMOS FET - SOT-323
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 3-Pin SC-70 T/R
30V 200mA 260mW 4.1´Î@4.5V200mA 1.1V@250Ã×A P Channel SOT-323 MOSFETs ROHS
30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET
Nexperia PMOS, Vds=30 V, 200 mA, SOT-323, , 3
MOSFETs; NX3008PBKW,115; NEXPERIA
MOSFET, P CH, 30V, 200MA, SOT323, REEL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -200mA; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 2.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vg
Mosfet, P Channel, 30V, 200Ma, Sot323; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-200Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-30V; Resistencia De Activación Rds(On):2.8Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-4.5V |Nexperia NX3008PBKW,115
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +34.70%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Resistance4.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance46 pF
Max Dual Supply Voltage-30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation310 mW
Rds On Max4.1 Ω
Rise Time30 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento