Nexperia BUK7K6R2-40EX
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIPD50N04S4L08ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD50N04S308ATMA1
40V, N-Ch, 7.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
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40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
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VISHAY SIR418DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 V
Descripciones
Descripciones de Nexperia BUK7K6R2-40EX suministradas por sus distribuidores.
BUK7K6R2 Series 40 V 5.8 mOhm Dual N-Channel Standard MOSFET - LFPAK-56D
MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK / Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D T/R
Mosfet, Dual N-Ch, 40V, 40A, Lfpak56D Rohs Compliant: Yes |Nexperia BUK7K6R2-40EX
68W 20V 4V@1mA 32.3nC@ 10V 2N 40V 5.8m¦¸@ 20A,10V 40A 2.21nF@25V LFPAK-56D 1.15mm
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0058ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, 双 N沟道, 40V, 40A, LFPAK56D;
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationDual
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.21 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max5.8 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento