Nexperia BSS64,215
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 years ago)
LTB Date2024-12-31
LTD Date2025-01-07
Manufacturer Lifecycle StatusDISCONTINUATION OF DELIVERY (Last Updated: 2 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiSMMUN2216LT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Descripciones
Descripciones de Nexperia BSS64,215 suministradas por sus distribuidores.
80V 250mW 100mA NPN SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
BSS64 Series 80 V 100 mA 200 mW SMT NPN High Voltage Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
TRANS, BIPOLAR, NPN, 80V, 0.1A, TO-236AB; Available until stocks are exhausted Alternative available
200mV@ 15mA,50mA NPN 250mW 5V 100nA 120V 80V 100mA TO-236AB 3mm*1.4mm*1mm
100 mA 80 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento