Nexperia BAS416,115
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.70
Introduction Date2004-01-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.BAV116W-7-F
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.215A, 130V V(RRM), Silicon
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Rectifier Diode Small Signal Switching 85V 0.215A 3000ns 3-Pin SOT-23 T/R
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Rectifier Diode Small Signal Switching 85V 0.215A 3000ns 2-Pin X2-DFN T/R
VishayBAW56-E3-08
DUAL SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 70V V(RRM), Silicon
Descripciones
Descripciones de Nexperia BAS416,115 suministradas por sus distribuidores.
Rectifier Diode Switching 85V 0.2A 3000ns Automotive 2-Pin SOD-323 T/R
Small Signal Switching Diode, Single, 85 V, 200 mA, 1.1 V, 3 us, 4 A, 2 Pins, SOD-323 (SC-76)
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon
BAS416 Series 85 V 4 A Surface Mount Low-Leakage Diode - SOD-323
Small Signal Diode; Diode Type:Switching; Forward Current, If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:85V; Forward Voltage Max, VF:1.25V; Reverse Recovery Time, trr:3µs; Forward Surge Current Max, Ifsm:4A ;RoHS Compliant: Yes
Reverse Repetitive Voltage Max. (Vrrm) V = 75 / Forward Current (If) mA = 200 / Configuration = Single / Forward Voltage (Vf) V = 1.25 / Reverse Recovery Time (trr) ns = 800 / Peak Non-Repetitive Surge Current (Itsm) A = 4 / Reverse Current pA = 3 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOD-323 / Pins = 2 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Length mm = 1.8 / Width mm = 1.35 / Height mm = 1.1 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Average Rectified Current200 mA
Element ConfigurationSingle
Forward Current200 mA
Forward Voltage900 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current200 mA
Max Power Dissipation250 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)85 V
Max Reverse Voltage (DC)75 V
Max Surge Current4 A
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Peak Non-Repetitive Surge Current4 A
Peak Reverse Current5 nA
Power Dissipation250 mW
Recovery Time3 ns
Reverse Recovery Time3 µs
Reverse Standoff Voltage75 V
Reverse Voltage85 V
Schedule B8541100070
Dimensions
Height1.05 mm
Length1.8 mm
Width1.35 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento