Nexperia 2PA1774QM,315
$ 0.125
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 1727-2PA1774QM315CT-ND | 670 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | 2PA1774QM,315 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | 2PA1774QM,315 | 0 | 20K | 22h | ||||||||
| element14 APAC | 2PA1774QM,315 | 0 | 5 | Cut Tape | 9h | |||||||
| Farnell | 2PA1774QM,315 | 0 | 5 | Cut Tape | 6h |
Historial de existencias
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Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Componentes relacionados
Toshiba2SA2154CT-GR,L3F
300mV@ 10mA,100mA PNP 100mW -5V 100nA -50V 50V 100mA CST-3 1mm*600¦Ìm*380¦Ìm
Descripciones
Descripciones de Nexperia 2PA1774QM,315 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans, Bipolar, Pnp, 40V, 0.1A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Nexperia 2PA1774QM,315
40V 430mW 100mA PNP SOT-883 Bipolar Transistors - BJT ROHS
200mV@ 5mA,50mA PNP 430mW 5V 100nA 50V 40V 100mA SOT-883 1.02mm*620¦Ìm*470¦Ìm
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 3-Pin DFN T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-883
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation430 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation430 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento