Renesas CM200TU-12F

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
NRND

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Renesas CM200TU-12F.

Newark

Datasheet4 páginasHace 25 años
Datasheet4 páginasHace 26 años

iiiC

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-07-27
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Descripciones

Descripciones de Renesas CM200TU-12F suministradas por sus distribuidores.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT MOD 6PAC 600V 200A F SER
200 A 600 V N-CHANNEL IGBT
Igbt Module, 600V, 200A; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:200A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):600V; Disipación De Potencia Pd:600W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:600V; Núm. De Contactos:17 |Mitsubishi Electric CM200TU-12F

Alias de fabricantes

Renesas tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Renesas también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • CM200TU12F