Renesas CM100DY-24NF
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Renesas CM100DY-24NF.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-03-15
LTD Date2025-09-30
Descripciones
Descripciones de Renesas CM100DY-24NF suministradas por sus distribuidores.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 650W 7-Pin
IGBT MOD 1200V 100A 650W
Igbt Module; Continuous Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.5V; Power Dissipation:650W; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv; Transistor Mounting:Panelrohs Compliant: Yes |Mitsubishi Electric CM100DY-24NF
Alias de fabricantes
Renesas tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Renesas también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Renesas Electronics
- Renesas Electronics America Inc
- Renesas Electronics America
- RENESA
- REN
- RENES
- RENESAS TECHNOLOGY CORP
- RENESAS TECHNOLOGY
- Renesas Electronics Corporation
- RENESAS ELECTRONICS CORP
- RENSAS
- RENASAS
- Renesas / Intersil
- RNS
- RENESAS-PB
- RENESASTEC
- RENESES
- Renesas Technology America
- Renesas Design Germany GmbH
- Renesas / IDT
- RENESASE
- RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
- Renesas Electronics Operations Services Limited
- RENEASAS
- RENESAS/M
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals7
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current100 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation650 W
Number of Elements2
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Renesas CM100DY-24NF.