Microchip TN2540N3-G
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Cadena de suministros
Projected EOL Date2034-04-07
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 2 days ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZVN3310ASTZ
625mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1N 100V 10¦¸@ 500mA,10V 200mA 40pF@25V TO-92 , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
onsemi2N7000-D75Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
onsemi2N7000-D74Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Descripciones
Descripciones de Microchip TN2540N3-G suministradas por sus distribuidores.
Low Threshold N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Mosfet, N-Ch, 0.175A, 400V, To-92-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:175Ma; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(On):8Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology TN2540N3-G
Alias de fabricantes
Microchip tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Microchip también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)175 mA
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance12 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance125 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max12 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.21 mm
Width4.19 mm
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