Microchip 2N6660
$ 13.7
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Cadena de suministros
Projected EOL Date2034-02-19
Country of AssemblyThailand
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.0060
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Descripciones
Descripciones de Microchip 2N6660 suministradas por sus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2N6660 Series 60 V 3 Ohm Through Hole N-Channel HEXFET Mosfet - TO-205AD (TO-39)
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag / MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3
MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.1A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 2.7ohm; Rds; Available until stocks are exhausted Alternative available
Mosfet, N Channel, 60V, 1.1A, To-39; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.1A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):2.7Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Solid State 2N6660
Alias de fabricantes
Microchip tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Microchip también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-39-3
Contact PlatingGold
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)410 mA
Current11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8542.39.0090
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max3 Ω
Schedule B8542390000
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage60 V
Dimensions
Height6.604 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento