Microchip 2N3700
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Cadena de suministros
Projected EOL Date2049-02-05
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Componentes relacionados
MicrochipJANTX2N3700
TRANS NPN 80V 1A TO18 Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 500 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
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MicrochipJANTXV2N2222A
TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA 500 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
MicrochipJAN2N2907A
TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 500 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Descripciones
Descripciones de Microchip 2N3700 suministradas por sus distribuidores.
TRANS NPN 80V 1A TO18 Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 500 mW Through Hole TO-18
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18
2N3700: 1 A 80 V Through Hole Low Power NPN Silicon Transistor - TO-18-3
Trans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
NPN 500mW 7V 10nA 140V 80V 1A TO-18 Through hole mounting 5.33mm(height)
Alias de fabricantes
Microchip tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Microchip también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +120%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-18
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min50
HS Code8541.21.0095
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)200 °C
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Dimensions
Height5.33 mm
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