Microchip 2N3637UB
$ 12.73
Production
Precio y existencias
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +76.03%
Modelos CAD
0 modelos disponibles
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Microchip 2N3637UB.
Cadena de suministros
Projected EOL Date2049-02-05
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.0080
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
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Descripciones
Descripciones de Microchip 2N3637UB suministradas por sus distribuidores.
TRANS PNP 175V 1A UB Bipolar (BJT) Transistor PNP 175 V 1 A 1.5 W Surface Mount UB
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin UB Waffle
175V 1A 1W 3 Pin Cer Small-Signal Bjt T; |Microchip Technology 2N3637UB
Alias de fabricantes
Microchip tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Microchip también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +76.03%
Modelos CAD
0 modelos disponibles
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)175 V
Collector Emitter Breakdown Voltage175 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)175 V
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
HS Code8541.10.0080
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)200 °C
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height1.42 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
RoHSNon-Compliant
Declaraciones de cumplimiento