MACOM CGH40010P
$ 90.136
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -20.39%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para MACOM CGH40010P.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2023-11-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Recursos de ingeniería
Ver Kits de evaluación y Diseños de referencia para MACOM CGH40010P.
Diseños de referencia
Descripciones
Descripciones de MACOM CGH40010P suministradas por sus distribuidores.
RF MOSFET HEMT 28V 440196 / RF Mosfet HEMT 28 V 200 mA 0Hz ~ 6GHz 14.5dB 12.5W 440196
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET
Aerospace & Defense, 28 V, 6 GHz, 10W, Pill, RoHS
Wolfspeed SCT
Trans RF MOSFET N-CH 120V 1.5A 3-Pin Case 440196
RF Power Field-Effect Transistor
Alias de fabricantes
MACOM tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. MACOM también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- MACOM Technology Solutions
- M/A COMM
- TYCO M/A-COM
- MACOM Technology Solutions Inc
- PICO MACOM
- M/A COM INC
- MNDSPEED
- M/A-COMO
- M/A-COM TECH SOLUTIONS
- Metelics (MACOM Technology Solutions)
- MACOM TECHNOLOGY
- TE/MACOM
- Omni Spectra / M/A-Com
- M/A-COM LTD
- M/A-COM Technology Soluti
- M/A-Com (Tyco - M/A-Com)
- MINDSPEED
- MACOM / SPECTRA
- MACOM/MINDSPEED
- M/A COM INTEGRATED
- MACOM (Metelics)
- MindspeedTechnologies
- MACOM Datasheet
- COBHAM PLC
- MICROMETRICS INC
- MA-COM
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -20.39%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Body MaterialCeramic
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage84 V
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Efficiency65 %
Gain14 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-10 V
Max Frequency6 GHz
Max Junction Temperature (Tj)225 °C
Max Operating Temperature105 °C
Max Output Power10 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Power12.5 W
Power Dissipation14 W
Test Current200 mA
Test Voltage28 V
Voltage Rating28 V
Dimensions
Height3.17 mm
Fichas técnicas y documentos
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