Littelfuse IXTH16N20D2
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFP250NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 30A;TO-247AC;PD 214W;VGS +/-20V
InfineonIRFP250MPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
InfineonIRFP260NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 50A;TO-247AC;PD 300W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Littelfuse IXTH16N20D2 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 200V 16A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
D2 Series - 100V - 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs, TO-247, RoHS
Littelfuse SCT
Power Field-Effect Transistor, 0.073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, 16A, 200V, 695W, TO-247;
DiscMosfet N-CH Depl Mode-D2 TO-247AD
695W(Tc) 20V 208nC@ 5 V 1individualNChannel 200V 73mΩ@ 8A,0V 16A 5.5nF@25V TO-247 Through hole mounting 16.26mm*5.3mm*21.46mm
Alias de fabricantes
Littelfuse tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Littelfuse también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Resistance73 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)-4.5 V
Input Capacitance5.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation695 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation695 W
Rds On Max80 mΩ