Littelfuse IXFA7N80P
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIPB65R420CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB65R660CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonSPB17N80C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 290 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Littelfuse IXFA7N80P suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Discmosfetn-Ch Hiperfet-Polar To-263D2/; |Littelfuse IXFA7N80P
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Polar™ Series - 100V - 1200V N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diodes (HiPerFETs), TO-263, RoHS
Littelfuse SCT
200W(Tc) 30V 5V@1mA 32nC@ 10 V 1individualNChannel 800V 1.44Ω@ 3.5A,10V 7A 1.89nF@25V TO-263-3 SMD mount 10.41mm*9.65mm*4.83mm
Alias de fabricantes
Littelfuse tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Littelfuse también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.46%
Modelos CAD
0 modelos disponibles
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.44 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.89 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Rds On Max1.44 Ω
Reverse Recovery Time250 ns
Rise Time32 ns
Turn-Off Delay Time55 ns