Littelfuse IXFA4N100Q
$ 5.653
NRND
Precio y existencias
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -76.46%
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 6 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIPB054N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB049NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
VishaySQM50P03-07-GE3
SQM50P03-07-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 30 V, 2+TAB-PIN TO-263
VishaySQM40P10-40L_GE3
-100V, -40A, 0.04ohm, P-Channel, TrenchFET Power MOSFET, TO-263, AEC-Q101
Descripciones
Descripciones de Littelfuse IXFA4N100Q suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 1000 Vds 3 Ohm 39 nC 150 W Mosfet - TO-263
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
150W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 39nC@ 10 V 1individualNChannel 1KV 3Ω@ 2A,10V 4A 1.05nF@25V TO-263-3 SMD mount 10.41mm*9.65mm*4.83mm
Alias de fabricantes
Littelfuse tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Littelfuse también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -76.46%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max3 Ω
Resistance3 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns