Littelfuse IXFN44N80P
$ 24.763
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Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IXFN44N80P-ND | 263 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | IXFN44N80P | 0 | 300 | 1d | ||||||||
| TTI | IXFN44N80P | 0 | 300 | Tube | 3d | |||||||
| Newark | IXFN44N80P | 0 | 300 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | IXFN44N80P | 0 | 75 | Bulk |
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VishayVS-FA40SA50LC
543W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 420nC@ 10 V 1N 500V 130m¦¸@ 23A,10V 40A 6.9nF@25V SOT-227
Descripciones
Descripciones de Littelfuse IXFN44N80P suministradas por sus distribuidores.
Discmsft N-Ch Hiperfet-Polasot-227B(Mini/Tube |Littelfuse IXFN44N80P
Trans MOSFET N-CH Si 800V 39A 4-Pin SOT-227B
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 800V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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Polar™ Series - 100V - 1200V N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diodes (HiPerFETs), SOT-227B, RoHS
Littelfuse SCT
Discrete Semiconductor Modules 36 Amps 800V
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 44A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation
Alias de fabricantes
Littelfuse tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Littelfuse también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-227-4
Contact PlatingNickel
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)39 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance12 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation694 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation694 W
Rds On Max190 mΩ
Reverse Recovery Time250 ns
Rise Time22 ns
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time75 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant