Infineon SPW55N80C3FKSA1
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW54NM65ND
N-channel 650 V, 0.055 Ohm typ., 49 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in a TO-247 package
InfineonIPW65R080CFDAFKSA1
Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
Descripciones
Descripciones de Infineon SPW55N80C3FKSA1 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Replacement for CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:850V; Continuous Drain Current Id:54.9A; On Resistance Rds(On):0.077Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V Rohs Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)54.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage850 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.52 nF
Max Dual Supply Voltage800 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance85 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation500 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time21 ns
Turn-Off Delay Time200 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento