Infineon SPD18P06P
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-05-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-01-30
LTD Date2009-07-30
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N-Channel 60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de Infineon SPD18P06P suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252
SIPMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, P, COOLMOS, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-60V; Current, Id Cont:18.6A; Resistance, Rds On:0.13ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:20V; Case Style:DPAK; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, P, COOLMOS, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-60V; Current, Id Cont:18.6A; Resistance, Rds On:0.13ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:20V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:74.4A; External Depth:10.5mm; External Length / Height:2.55mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:80W; Power, Pd:80W; Power, Ptot:80W; SMD Marking:18P06P; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs th Max:4V; Width, External:6.8mm
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18.6 A
Current Rating-18.6 A
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance860 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs20 V
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max130 mΩ
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage20 V
Turn-Off Delay Time24.5 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento