Infineon ISC009N06LM5ATMA1
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-05-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon ISC009N06LM5ATMA1 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Surface Mount
60 V 41 A 3 W Surface Mount N-Channel OptiMOSTM5 Power-Transistor - PG-TSON-8-3
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8 / N-Channel 60 V 41A (Ta), 348A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Power Field-Effect Transistor, 348A I(D), 60V, 0.0009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
3W(Ta)，214W(Tc) 2.3V@ 147µA 209nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 900μΩ@ 50A,10V 348A；41A 13nF@30V TSON-8-EP SMD mount
The ISC009N06LM5, Infineon's OptiMOS™ MOSFET in the SuperSO8 package extends the OptiMOS™ 5 and 3 product portfolio and enables higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -29.30%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)348 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance900 µΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Turn-Off Delay Time104 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento