Infineon IRLR3705ZPBF.
$ 1.84
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRLR3705ZPBF..
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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STMicroelectronicsSTD65N55LF3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRLR3705ZPBF. suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 44 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 55V, RDS(ON) 6.5 MILLIOHMS, ID 42A, D-PAK (TO-252AA),-55C
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
N CHANNEL MOSFET, 55V, 89A, D-PAK; Trans; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A;
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating42 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation130 W
Rds On Max8 mΩ
Recovery Time42 ns
Resistance8 MΩ
Rise Time150 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height2.2606 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento