Infineon IRLR024NTRLPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
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17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
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55W(Tc) 4V@ 250µA 24nC@ 20V 1individualNChannel 55V 70mΩ@ 19A,10V 350pF@25V TO-252AA SMD mount
onsemiHUFA76413D3ST
60W(Tc) 3V@ 250µA 20nC@ 10V 1individualNChannel 60V 49mΩ@ 20A,10V 645pF@25V TO-252AA SMD mount
Descripciones
Descripciones de Infineon IRLR024NTRLPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 17 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 65 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 29 / Rise Time ns = 74 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 7.1 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 45
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating17 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance480 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation38 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time74 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7.1 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento