Infineon IRLMS2002TRPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Componentes relacionados
InfineonIRLMS6802TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.05Ohm;ID -5.6A;Micro6 (SOT-23);PD 2W
Descripciones
Descripciones de Infineon IRLMS2002TRPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 6.5A;Micro6;PD 2W;VGS +/-12V;-55d
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Surface Mount
Single N-Channel 20 V 0.045 Ohm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-6
MOSFET, N-CH, 20V, 6.5A, SOT-23-6; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.03ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
N Channel Mosfet, 20V, 6.5A, Micro6, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:6.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Power Dissipation:2W Rohs Compliant: Yes |Infineon IRLMS2002TRPBF.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.31 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Elements1
On-State Resistance30 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max30 mΩ
Resistance300 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.143 mm
Length2.9972 mm
Width1.75 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento