Infineon IRLB3813PBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRF3703PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.3Milliohms;ID 210A;TO-220AB;PD 230W;-55de
InfineonIRF1324PBF
24V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Infineon IRLB3813PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Single N-Channel 30 V 1.95 mOhm 57 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 30V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 30V, 190A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:260A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:230W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Cont Current Id @ 100°C:190A; Cont Current Id @ 25°C:260A; Current Id Max:260A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:230W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.42 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.95 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max1.95 mΩ
Recovery Time36 ns
Resistance1.95 MΩ
Rise Time170 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento