Infineon IRGS8B60KPBF
$ 1.275
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRGS8B60KPBF.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRGS8B60KPBF desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloFootprint |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Descripciones
Descripciones de Infineon IRGS8B60KPBF suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Target Applications: PFC; Washing Machine
IRGS8B60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:28A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.2V; Power Dissipation, Pd:167W; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:28A; Voltage, Vce Sat Max:2.2V; Power Dissipation:167W; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Current, Icm Pulsed:56A; Marking, SMD:GS8B60K; Power, Pd:167W; Time, Fall:42ns; Time, Fall Max:42ns; Time, Rise:21ns; Voltage, Vceo:600V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current28 A
Current Rating28 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Max Collector Current28 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation167 W
Rise Time26 ns
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRGS8B60KPBF.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento