Infineon IRG4BC15UD-SPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-06-30
LTD Date2018-12-31
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Descripciones
Descripciones de Infineon IRG4BC15UD-SPBF suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
ULTRAFAST COPACK INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:14A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.4V; Power Dissipation, Pd:49W; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
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Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.39037 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating14 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current14 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation49 W
Reverse Recovery Time28 ns
Rise Time20 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento