Infineon IRFU3910PBF

Single N-Channel 100 V 115 mOhm 29.3 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
$ 0.447
Obsolete
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Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRFU3910PBF24851
Rochester ElectronicsIRFU3910PBF1860
8h
DigiKeyIRFU3910PBF-ND29691Tube
RS (Formerly Allied Electronics)IRFU3910PBF010Bulk
22h
Farnell
2
IRFU3910PBF19081
7h

Fichas técnicas y documentos

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IHS

Datasheet11 páginasHace 21 años
Datasheet12 páginasHace 21 años

Farnell

Newark

iiiC

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRFU3910PBF
InfineonIRFU3910PBF
Price @ 1000
$ 0.447
$ 0.447
Stock
1,225,243
1,225,243
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251
TO-251
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
16 A
16 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
115 mΩ
115 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
52 W
52 W
Input Capacitance
640 pF
640 pF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

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Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFU3910PBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 100 V 115 mOhm 29.3 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
Future Electronics
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A) | MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
Win Source
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
ComSIT Distribution GmbH
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:16A; On Resistance Rds(On):0.115Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 16 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 115 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 27 / Turn-OFF Delay Time ns = 37 / Turn-ON Delay Time ns = 6.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-251 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 79
Distrelec

Imágenes

Infineon
RS
DKO Electronshik
TME
LZChips
Future Electronics
Newark
International Rectifier
LCSC
Rochester Electronics
iiiC

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFU3910
  • IRFU3910PBF.
  • IRFU3910PBF..
  • SP001578380