Infineon IRFU13N20DPBF

Single N-Channel 200 V 0.235 Ohm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
$ 1.57
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRFU13N20DPBF010Bulk
4h
FarnellIRFU13N20DPBF..01
11h
Win Source
2
WS-IRFU13N20D122
13h
Worldway Electronics
2
IRFU13N20DPBF19.0747Tube
11h
Anlinkda
2
IRFU13N20DPBF57.276
17h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFU13N20DPBF.

IHS

Datasheet11 páginasHace 21 años
Datasheet12 páginasHace 21 años

Farnell

Newark

DigiKey

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRFU13N20DPBF desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-11-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30

Componentes relacionados

InfineonIRFU15N20DPBF
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK / MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
Detalles
onsemiFQU12N20TU
N-Channel QFET® MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ
Detalles
InfineonIRFU6215PBF
IRFU6215PBF P-channel MOSFET Transistor, 13 A, 150 V, 3-Pin IPAK
Detalles
onsemiFQU10N20TU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Detalles
onsemiNDDP010N25AZ-1H
Mosfet Transistor, N Channel, 10 A, 250 V, 0.32 Ohm, 10 V, 4.5 V
Detalles
onsemiFQU10N20CTU
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 7.8 A, 360 mΩ, IPAK
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFU13N20DPBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 200 V 0.235 Ohm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:13A; On Resistance, Rds(on):235mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:I-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Infineon

Imágenes

Infineon
Farnell
TME
Future Electronics
Newark
International Rectifier
Rochester Electronics
RS

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFU13N20D
  • IRFU13N20DPBF..
  • SP001573640