Infineon IRFU1205PBF

Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
$ 2.14
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFU1205PBF.

IHS

Datasheet12 páginasHace 21 años
Datasheet11 páginasHace 21 años

Newark

DigiKey

Farnell

iiiC

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRFU1205PBF desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

Componentes relacionados

InfineonIRFU5305PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;I-Pak (TO-251AA);PD 110W
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 32A Ta 32A 93.75W 93ns
InfineonIRFU2405PBF
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonAUIRLU2905
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, IPAK-3, RoHS
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel No-Cancel/No-Return
MOSFETs- Power and Small Signal 60V 32A N-Channel

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFU1205PBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:44A; On Resistance, Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:IPAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 55V, 37A, I-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:37A; Resistance, Rds On:0.027ohm; Case Style:TO-251 (I-Pak); Case Style, Alternate:I-PAK; Current, Idm Pulse:160A; Power Dissipation:69W; Power, Pd:69W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:27ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.8°C/W; Time, t Off:60ns; Time, t On:69ns; Voltage, Vds Max:55V

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFU1205
  • SP001578428