Infineon IRFSL38N20DPBF

INFINEON IRFSL38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 200 V, 0.054 ohm, 10 V, 5 VNew
$ 2.435
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRFSL38N20DPBF5
1d
RS (Formerly Allied Electronics)IRFSL38N20DPBF0250Bulk
9h
FarnellIRFSL38N20DPBF01
8h
Component Stockers USAIRFSL38N20DPBF4
>1wk
Worldway ElectronicsIRFSL38N20DPBF96037Tube
7h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFSL38N20DPBF.

IHS

Datasheet12 páginasHace 9 años
Datasheet11 páginasHace 15 años
Datasheet12 páginasHace 23 años

Newark

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.00%
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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

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200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
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VishayIRF740ALPBF
Single N-Channel 400 V 0.55 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262
Detalles
InfineonIRF640NLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-262;PD 150W;VGS +/-20V
Detalles
onsemiFCI7N60
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, I2PAK
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFSL38N20DPBF suministradas por sus distribuidores.

INFINEON IRFSL38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 200 V, 0.054 ohm, 10 V, 5 VNew
Fly-Wing Technology
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:44A; On Resistance, Rds(on):54mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Infineon
MOSFET, N, 200V, D2-PAK; Transistor type:MOSFET; Voltage, Vds typ:200V; Current, Id cont:44A; Resistance, Rds on:54ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:5V; Case style:D2-PAK (TO-263); Current, Id cont @ 100 degree C:32A; Current, Id cont @ 25 degree C:44A; Current, Idm pulse:180A; Power, Pd:320W; Termination Type:SMD; Transistor polarity:N; Voltage, Rds measurement:10V; Voltage, Vds:200V; Voltage, Vds max:200V; Voltage, Vgs th max:5V; Voltage, Vgs th min:3V; Rth:0.47
Farnell

Imágenes

Infineon
TME
Newark
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFSL38N20D
  • SP001557568