Infineon IRFS7734TRLPBF
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Ficha técnica oficialHace 4 años
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
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75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH265N6F6-2AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 / N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFS7734TRLPBF suministradas por sus distribuidores.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 75V 3.5 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 183A I(D), 75V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 183A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 183A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V;
Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)183 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation290 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation290 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time123 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time124 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento