Infineon IRFP4368PBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-06-02
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
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InfineonIRFP2907PBF
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InfineonIRFP7530PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFP4368PBF suministradas por sus distribuidores.
IRFP4368PBF N-channel MOSFET Transistor, 350 A, 75 V, 3-Pin TO-247AC
Single N-Channel 75 V 1.85 mOhm 570 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 350 A, 0.00185 ohm, TO-247AC, Through Hole
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.00185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, 75V 350A TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:350A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):1.46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:520W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:350A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:520W; Pulse Current Idm:1280A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance1.85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time260 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance19.23 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation520 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.8 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation520 W
Rds On Max1.85 mΩ
Recovery Time200 ns
Resistance1.85 MΩ
Rise Time220 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time170 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento