Infineon IRFIZ24NPBF
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Componentes relacionados
InfineonIRFIZ24EPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package
InfineonIRLIB9343PBF
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -14A, 105 mOhm, 31 nC Qg, Logic Level, TO-220 FULLPACK
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFIZ24NPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 14A;TO-220 Full-Pak;PD 29W;-55deg
Single N-Channel 55 V 70 mOhm 13.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, FULLPAK220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 55V, 14A To-220Fp; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:14A; On Resistance Rds(On):0.07Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance370 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation29 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance70 mΩ
Package Quantity2000
PackagingBulk
Power Dissipation26 W
Rds On Max70 mΩ
Recovery Time83 ns
Resistance70 MΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.6172 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento