Infineon IRFHM8329TRPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFHM830DTRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFHM8329TRPBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 6.1 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PQFN 3.3X3.3 8L, RoHS
Infineon SCT
TAPE AND REEL / MOSFET, 30V, 25A, 4.9 mOhm, 13nC Qg, PQFN 3.3x3.3
2.6W(Ta),33W(Tc) 20V 2.2V@ 25¦ÌA 26nC@ 10 V 1N 30V 6.1m¦¸@ 20A,10V 16A,57A 1.71nF@10V PQFN-8
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.8C/W); Low Profile (less than 1.05 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; Point of Load ControlFET
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.1 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.6 W
Rds On Max6.1 mΩ
Rise Time74 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height800 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento