Infineon IRFH8316TRPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
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Descripciones
Descripciones de Infineon IRFH8316TRPBF suministradas por sus distribuidores.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 2.95 mOhm 59 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
T&R / MOSFET, 30V, 25A, 4.9 mOhm, 4.7nC Qg, PQFN5x6
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 1.3C/W); Low Profile (less than 1.2 mm); Industry-Standard Pinout; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageQFN EP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.61 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation59 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.95 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max2.95 mΩ
Rise Time67 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento