Infineon IRFH5007TR2PBF
$ 1.422
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFH5007TR2PBF | 50 | 11h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFH5007TR2PBF | 0 | 400 | Bulk | 4h | |||||||
| Avnet | IRFH5007TR2PBF | 0 | 400 | 13h | ||||||||
| Farnell | IRFH5007TR2PBF | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Microchip USA | IRFH5007TR2PBF | 231 | 150 | Tray | 1d |
Historial de existencias
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-05-12
LTD Date2014-11-12
Componentes relacionados
InfineonIRFH5006TRPBF
INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
InfineonIRFH5206TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFH5007TR2PBF suministradas por sus distribuidores.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin QFN T/R
MOSFET, 70V, 100A, 5.9mOhm, 65 nC Qg, PQFN5x6
MOSFET PQFN-8 (5x6) N 75V 17 A
MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 75V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,N CH,75V,17A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):5.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:250W; Voltage Vgs Max:20V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance5.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.29 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Rds On Max5.9 mΩ
Recovery Time47 ns
Resistance5.9 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height990.6 µm
Length6.1468 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento