Infineon IRFF9230
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonJANTX2N6851
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFF9230 suministradas por sus distribuidores.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-39; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:75mJ; Current Id Max:-4A; Current Temperature:25°C; External Length / Height:18.03mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Length:14.22mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-39; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:16A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-200V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:0.98g
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight980 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance1.68 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Dual Supply Voltage-200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance800 mΩ
Power Dissipation25 W
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height4.57 mm
Lead Length14.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Declaraciones de cumplimiento